功能描述：20 V, P-CHANNEL TRENCH MOSFET

制造商：nexperia usa inc.

系列：-

包装：剪切带（CT）

零件状态：在售

FET 类型：P 沟道

技术：MOSFET（金属氧化物）

漏源电压（Vdss）：20V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：500mA（Ta）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：1.5V，4.5V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：950mV @ 250μA

不同 Vgs 时的栅极电荷?（Qg）（最大值）：2.1nC @ 4.5V

Vgs（最大值）：±8V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：43pF @ 10V

FET 功能：-

功率耗散（最大值）：360mW（Ta），2.7W（Tc）

不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：1.4 欧姆 @ 500mA，4.5V

工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：表面贴装

供应商器件封装：DFN1006-3

封装/外壳：SC-101，SOT-883

标准包装：1

PMZ950UPEYL

PMZB1200UPEYL

PMZB150UNEYL

PMZB200UNEYL

PMZB290UN,315

PMZB290UNE

PMZB290UNE,315

PMZB290UNE2YL

PMZB300XN,315

PMZB320UPEYL